Для измерения интенсивности и углов дифракции рентгеновского излучения, рассеянного на кристаллическом объекте при решении задач рентгенодифракционного и рентгеноструктурного анализа материалов.
Для измерения углов (угловых перемещений) блока детектирования и интенсивности дифракционных пиков, по которым определяются параметры кристаллической решетки, качественный и количественный фазовый состав веществ в лабораториях научно-исследовательских институтов, заводских химических, физических, материаловедческих лабораториях; экспертных криминалистических, экологических, геологических лабораториях стационарного или передвижного типа.
Для измерения параметров структур высококачественных биологических кристаллов естественного или искусственного происхождения с заданными свойствами и определения формы и структуры элементарной ячейки кристаллов с уточнением положения атомов, для проведения прецизионного рентгеноструктурного анализа (методом рентгеновской дифракции) в аналитических лабораториях промышленного производства (химического, фармацевтического и др.), научно-исследовательских и учебных институтов.